제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - IGBT - 단일 RJH1CV7DPK-00#T0

Renesas Electronics America RJH1CV7DPK-00#T0

부품 번호
RJH1CV7DPK-00#T0
제조사
Renesas Electronics America
기술
IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

재고 있음 190 pcs
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3.61000/pcs
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제품 매개 변수
부품 번호 RJH1CV7DPK-00#T0
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 70A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) -
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 35A
전력 - 최대 320W
스위칭 에너지 3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 166nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 53ns/185ns
시험 조건 600V, 35A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 200ns
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3
공급 업체 장치 패키지 TO-3P
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