제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 NTLJD3115PT1G

ON Semiconductor NTLJD3115PT1G

부품 번호
NTLJD3115PT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 NTLJD3115PT1G
부품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 531pF @ 10V
전력 - 최대 710mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 6-WDFN (2x2)
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