제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드 NSVMMUN2132LT1G

ON Semiconductor NSVMMUN2132LT1G

부품 번호
NSVMMUN2132LT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 NSVMMUN2132LT1G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
저항기 -베이스 (R1) (옴) 4.7k
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) 4.7k
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 500nA
빈도 - 전환 -
전력 - 최대 246mW
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
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