제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 NSVBSP19AT1G

ON Semiconductor NSVBSP19AT1G

부품 번호
NSVBSP19AT1G
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 NSVBSP19AT1G
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 350V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
전력 - 최대 800mW
빈도 - 전환 70MHz
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
공급 업체 장치 패키지 SOT-223 (TO-261)
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