제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 NSS35200MR6T1G

ON Semiconductor NSS35200MR6T1G

부품 번호
NSS35200MR6T1G
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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재고 있음 15000 pcs
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합계:0.06956/pcs Unit Price:
0.06956/pcs
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수량:
제품 매개 변수
부품 번호 NSS35200MR6T1G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 PNP
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 2A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 35V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 310mV @ 20mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 1.5A, 1.5V
전력 - 최대 625mW
빈도 - 전환 100MHz
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-23-6
공급 업체 장치 패키지 6-TSOP
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