제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 NJVMJB41CT4G

ON Semiconductor NJVMJB41CT4G

부품 번호
NJVMJB41CT4G
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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0.36210/pcs
목표 주가:
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제품 매개 변수
부품 번호 NJVMJB41CT4G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 6A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 100V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V
전력 - 최대 2W
빈도 - 전환 3MHz
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급 업체 장치 패키지 D2PAK-3
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