제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - IGBT - 단일 NGTB30N120L2WG

ON Semiconductor NGTB30N120L2WG

부품 번호
NGTB30N120L2WG
제조사
ON Semiconductor
기술
IGBT 1200V 60A 534W TO247
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 NGTB30N120L2WG
부품 상태 Active
IGBT 형 Trench Field Stop
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 60A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 120A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
전력 - 최대 534W
스위칭 에너지 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 310nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 116ns/285ns
시험 조건 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 450ns
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-247-3
공급 업체 장치 패키지 TO-247
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