제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF 55GN01CA-TB-E

ON Semiconductor 55GN01CA-TB-E

부품 번호
55GN01CA-TB-E
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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재고 있음 15000 pcs
  • 참고 가격

    (미국 달러화)
  • 1 pcs

    0.04231/pcs
  • 3,000 pcs

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    0.03809/pcs
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  • 30,000 pcs

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    0.02821/pcs
합계:0.04231/pcs Unit Price:
0.04231/pcs
목표 주가:
수량:
제품 매개 변수
부품 번호 55GN01CA-TB-E
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 10V
빈도 - 전환 4.5GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 1.9dB @ 1GHz
이득 9.5dB
전력 - 최대 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 70mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 3-CP
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