제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드 PDTD113EK,115

NXP USA Inc. PDTD113EK,115

부품 번호
PDTD113EK,115
제조사
NXP USA Inc.
기술
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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제품 매개 변수
부품 번호 PDTD113EK,115
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 500mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
저항기 -베이스 (R1) (옴) 1k
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) 1k
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 500nA
빈도 - 전환 -
전력 - 최대 250mW
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 SMT3; MPAK
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