제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드 PDTC114ES,126

NXP USA Inc. PDTC114ES,126

부품 번호
PDTC114ES,126
제조사
NXP USA Inc.
기술
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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제품 매개 변수
부품 번호 PDTC114ES,126
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
저항기 -베이스 (R1) (옴) 10k
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) 10k
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 1µA
빈도 - 전환 -
전력 - 최대 500mW
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급 업체 장치 패키지 TO-92-3
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