제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF MS1003

Microsemi Corporation MS1003

부품 번호
MS1003
제조사
Microsemi Corporation
기술
TRANS RF BIPO 270W 20A TO-220AC
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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제품 매개 변수
부품 번호MS1003
부품 상태Active
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)18V
빈도 - 전환136MHz ~ 175MHz
잡음 지수 (dB Typ @ f)-
이득6dB
전력 - 최대270W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce10 @ 5A, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)20A
작동 온도200°C (TJ)
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스M111
공급 업체 장치 패키지M111
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