부품 번호 | IR2011PBF |
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부품 상태 | Active |
구동 구성 | Half-Bridge |
채널 유형 | Independent |
드라이버 수 | 2 |
게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
전압 - 공급 | 10 V ~ 20 V |
논리 전압 - VIL, VIH | 0.7V, 2.2V |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1A, 1A |
입력 유형 | Inverting |
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 200V |
상승 / 하강 시간 (일반) | 35ns, 20ns |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
공급 업체 장치 패키지 | 8-DIP |