제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 IPB011N04NGATMA1

Infineon Technologies IPB011N04NGATMA1

부품 번호
IPB011N04NGATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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제품 매개 변수
부품 번호 IPB011N04NGATMA1
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 40V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 200µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 250nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 20000pF @ 20V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 250W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 100A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 PG-TO263-7-3
패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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