제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - IGBT - 단일 IGD01N120H2BUMA1

Infineon Technologies IGD01N120H2BUMA1

부품 번호
IGD01N120H2BUMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - IGBT - 단일
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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제품 매개 변수
부품 번호 IGD01N120H2BUMA1
부품 상태 Not For New Designs
IGBT 형 -
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 3.2A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 3.5A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 1A
전력 - 최대 28W
스위칭 에너지 140µJ
입력 유형 Standard
게이트 차지 8.6nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 13ns/370ns
시험 조건 800V, 1A, 241 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) -
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급 업체 장치 패키지 PG-TO252-3
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제조사: Infineon Technologies

기술: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3

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