제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 BSP 52 E6327

Infineon Technologies BSP 52 E6327

부품 번호
BSP 52 E6327
제조사
Infineon Technologies
기술
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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제품 매개 변수
부품 번호 BSP 52 E6327
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN - Darlington
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 1A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 80V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 1.8V @ 1mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V
전력 - 최대 1.5W
빈도 - 전환 200MHz
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
공급 업체 장치 패키지 PG-SOT223-4
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