제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 ZXMN3AMCTA

Diodes Incorporated ZXMN3AMCTA

부품 번호
ZXMN3AMCTA
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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제품 매개 변수
부품 번호ZXMN3AMCTA
부품 상태Active
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs3.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds190pF @ 25V
전력 - 최대1.7W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지8-DFN (3x2)
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