제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 DVR3V3W-7

Diodes Incorporated DVR3V3W-7

부품 번호
DVR3V3W-7
제조사
Diodes Incorporated
기술
TRANS NPN 18V 1A SOT363
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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제품 매개 변수
부품 번호DVR3V3W-7
부품 상태Obsolete
트랜지스터 유형NPN + Zener Diode (Isolated)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)1A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)18V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic500mV @ 30mA, 300mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce150 @ 100mA, 1V
전력 - 최대200mW
빈도 - 전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지SOT-363
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