제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 DMN66D0LDW-7

Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7

부품 번호
DMN66D0LDW-7
제조사
Diodes Incorporated
기술
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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제품 매개 변수
부품 번호 DMN66D0LDW-7
부품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 115mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 23pF @ 25V
전력 - 최대 250mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 SOT-363
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