제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드 DDTB114GC-7-F

Diodes Incorporated DDTB114GC-7-F

부품 번호
DDTB114GC-7-F
제조사
Diodes Incorporated
기술
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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제품 매개 변수
부품 번호 DDTB114GC-7-F
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 500mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
저항기 -베이스 (R1) (옴) -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) (옴) 10k
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 500nA (ICBO)
빈도 - 전환 200MHz
전력 - 최대 200mW
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 SOT-23-3
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