제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFS17NTA

Diodes Incorporated BFS17NTA

부품 번호
BFS17NTA
제조사
Diodes Incorporated
기술
TRANS RF NPN 3.2GHZ 11V SOT23
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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제품 매개 변수
부품 번호 BFS17NTA
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 11V
빈도 - 전환 3.2GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 -
전력 - 최대 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 50mA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 SOT-23-3
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