제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFS17HTC

Diodes Incorporated BFS17HTC

부품 번호
BFS17HTC
제조사
Diodes Incorporated
기술
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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제품 매개 변수
부품 번호BFS17HTC
부품 상태Obsolete
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)15V
빈도 - 전환1.3GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f)4.5dB @ 500MHz
이득-
전력 - 최대330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 2mA, 1V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)25mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지SOT-23-3
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