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| 부품 번호 | CY7S1041GE30-10BVXI |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | SRAM |
| 과학 기술 | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 4Mb (256K x 16) |
| 클럭 주파수 | - |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 10ns |
| 액세스 시간 | 10ns |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 전압 - 공급 | 2.2 V ~ 3.6 V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 48-VFBGA |
| 공급 업체 장치 패키지 | 48-VFBGA (6x8) |
제조사: Cypress Semiconductor Corp
기술: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
재고: 110
제조사: Cypress Semiconductor Corp
기술: IC SRAM 4MB 10NS 44BGA
재고: 455
제조사: Cypress Semiconductor Corp
기술: IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA
재고: 60
제조사: Cypress Semiconductor Corp
기술: IC SRAM 4MB 10NS 44TSOPII
재고: 110
제조사: Cypress Semiconductor Corp
기술: IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA
재고: 415
