제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 2N4123

Central Semiconductor Corp 2N4123

부품 번호
2N4123
제조사
Central Semiconductor Corp
기술
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
Central Semiconductor Corp.

Central Semiconductor Corp.

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제품 매개 변수
부품 번호 2N4123
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 200mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 30V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 2mA, 10V
전력 - 최대 1.5W
빈도 - 전환 250MHz
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급 업체 장치 패키지 TO-92
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