이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF 제작품
트랜지스터 - FET, MOSFET - RF
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PTFA181001HL V1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2

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PTFA181001HL V1 R250

제조사: Infineon Technologies

기술: IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2

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PTFA192001EV4XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

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PTFA212001EV4XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

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PTFA212001F/1 P4

제조사: Infineon Technologies

기술: IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

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PTFA260851E V1 R250

제조사: Infineon Technologies

기술: FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2

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BF1005SE6433XT

제조사: Infineon Technologies

기술: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143

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PTF080101M V1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

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PTF180101M V1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10

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MRF8S18210WGHSR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS

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MRF8S18210WHSR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS3

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MRF8S21100HSR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS

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2SK3074TE12LF

제조사: Toshiba Semiconductor and Storage

기술: MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI

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2SK3078A(TE12L,F)

제조사: Toshiba Semiconductor and Storage

기술: FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI

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2SK3476(TE12L,Q)

제조사: Toshiba Semiconductor and Storage

기술: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X

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RFM04U6P(TE12L,F)

제조사: Toshiba Semiconductor and Storage

기술: MOSFET N-CH PW-MINI

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MRF8S18260HSR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8

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MRFE6VP6300HSR3

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4

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MRF8P20165WHR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4

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MRF8P20140WHR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4

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MRFE6VP8600HR6

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H

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MRFE6VP8600HSR6

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S

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MRF6V13250HR3

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 120V 1.3GHZ NI-780

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MRF6V13250HSR3

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 120V 1.3GHZ NI780S

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MRF8HP21080HR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780-4

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MRF8P26080HSR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4

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MRF8P29300HR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230

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MRF8P8300HSR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S

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MRFE6VP5600HSR6

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S

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MRF8P20100HSR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4

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MRF8P23080HSR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4

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MRFE6VP61K25HSR6

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S

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PTFA211801EV5XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2

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PTAC210802FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PTAC240502FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PTAC260302FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PTFC210202FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PTFC260202FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PTFC261402FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PXAC201202FCV2XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PXAC201602FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PXAC241702FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PXAC243502FVV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PXAC260602FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PXAC261002FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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PXAC261212FCV1XWSA1

제조사: Infineon Technologies

기술: IC AMP RF LDMOS

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MRF6V4300NBR5

제조사: NXP USA Inc.

기술: FET RF 110V 450MHZ TO-272-4

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3SK291(TE85L,F)

제조사: Toshiba Semiconductor and Storage

기술: MOSFET N-CH SMQ

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3SK292(TE85R,F)

제조사: Toshiba Semiconductor and Storage

기술: MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ

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ON5233,118

제조사: NXP USA Inc.

기술: MOSFET RF SOT428DPAK

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