ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SI8802DB-T2-E1

Vishay Siliconix SI8802DB-T2-E1

部品番号
SI8802DB-T2-E1
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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量:
製品パラメータ
部品番号 SI8802DB-T2-E1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 8V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.2V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 700mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 6.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±5V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 54 mOhm @ 1A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 4-Microfoot
パッケージ/ケース 4-XFBGA
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