ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SI4778DY-T1-GE3

Vishay Siliconix SI4778DY-T1-GE3

部品番号
SI4778DY-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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量:
製品パラメータ
部品番号 SI4778DY-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 18nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 680pF @ 13V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 23 mOhm @ 7A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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