ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SI4100DY-T1-E3

Vishay Siliconix SI4100DY-T1-E3

部品番号
SI4100DY-T1-E3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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量:
製品パラメータ
部品番号 SI4100DY-T1-E3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.8A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 20nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 600pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 63 mOhm @ 4.4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

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