ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SI4062DY-T1-GE3

Vishay Siliconix SI4062DY-T1-GE3

部品番号
SI4062DY-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 SI4062DY-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 32.1A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.6V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 60nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3175pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 7.8W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.2 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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