ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SI3460DV-T1-E3

Vishay Siliconix SI3460DV-T1-E3

部品番号
SI3460DV-T1-E3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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量:
製品パラメータ
部品番号 SI3460DV-T1-E3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.1A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.8V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 450mV @ 1mA (Min)
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 20nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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