部品番号 | NSB8BT-E3/81 |
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部品ステータス | Active |
ダイオードタイプ | Standard |
電圧 - DC逆(Vr)(最大) | 100V |
電流 - 平均整流(Io) | 8A |
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If | 1.1V @ 8A |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間(trr) | - |
電流 - 逆リーク(Vr) | 10µA @ 100V |
容量Vr、F | 55pF @ 4V, 1MHz |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
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説明: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
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