Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE,LF(CT

部品番号: RN1902FE,LF(CT
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
説明: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: Lead free / RoHS Compliant
家族: トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス

Toshiba Semiconductor and Storage

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製品パラメータ

部品番号	RN1902FE,LF(CT
部品ステータス	Active
トランジスタタイプ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム）	10k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム）	1k
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce	30 @ 10mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic	300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断（最大）	100nA (ICBO)
周波数 - 遷移	250MHz
電力 - 最大	100mW
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	SOT-563, SOT-666
サプライヤデバイスパッケージ	ES6