ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル CSD19532KTT

Texas Instruments CSD19532KTT

部品番号
CSD19532KTT
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Texas Instruments

Texas Instruments

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    0.65316/pcs
  • 2,500 pcs

    0.60811/pcs
合計:0.75246/pcs Unit Price:
0.75246/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 CSD19532KTT
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 200A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 57nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5060pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5.6 mOhm @ 90A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DDPAK/TO-263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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