ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル ESM2012DV

STMicroelectronics ESM2012DV

部品番号
ESM2012DV
メーカー
STMicroelectronics
説明
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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製品パラメータ
部品番号 ESM2012DV
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ NPN - Darlington
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 120A
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 120V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 1.5V @ 1A, 100A
電流 - コレクタ遮断(最大) -
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 1200 @ 100A, 5V
電力 - 最大 175W
周波数 - 遷移 -
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース ISOTOP
サプライヤデバイスパッケージ ISOTOP®
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在庫あり: 133

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RFQ 13.19000/pcs