部品番号 | EMB10T2R |
---|---|
部品ステータス | Active |
トランジスタタイプ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 100mA |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 50V |
抵抗器 - ベース(R1)(オーム) | 2.2k |
抵抗器 - エミッタベース(R2)(オーム) | 47k |
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce飽和(最大)@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA |
周波数 - 遷移 | 250MHz |
電力 - 最大 | 150mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
サプライヤデバイスパッケージ | EMT6 |