ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - IGBT - シングル RJP65T43DPQ-A0#T2

Renesas Electronics America RJP65T43DPQ-A0#T2

部品番号
RJP65T43DPQ-A0#T2
メーカー
Renesas Electronics America
説明
IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    2.11000/pcs
  • 10 pcs

    1.88350/pcs
  • 25 pcs

    1.69500/pcs
  • 100 pcs

    1.54440/pcs
  • 250 pcs

    1.39374/pcs
  • 500 pcs

    1.25060/pcs
  • 1,000 pcs

    1.05472/pcs
合計:2.11000/pcs Unit Price:
2.11000/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 RJP65T43DPQ-A0#T2
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 650V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 60A
電流 - コレクタパルス(Icm) -
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.4V @ 15V, 20A
電力 - 最大 150W
スイッチングエネルギー 170µJ (on), 130µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 69nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 35ns/105ns
テスト条件 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) -
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-247-3
サプライヤデバイスパッケージ TO-247A
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