ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - アレイ、プリバイアス SMUN5230DW1T1G

ON Semiconductor SMUN5230DW1T1G

部品番号
SMUN5230DW1T1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - アレイ、プリバイアス
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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量:
製品パラメータ
部品番号 SMUN5230DW1T1G
部品ステータス Active
トランジスタタイプ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 50V
抵抗器 - ベース(R1)(オーム) 1k
抵抗器 - エミッタベース(R2)(オーム) 1k
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 3 @ 5mA, 10V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 250mV @ 5mA, 10mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
周波数 - 遷移 -
電力 - 最大 187mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
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