部品番号 | NTR1P02T1G |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 2.5nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 165pF @ 5V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 400mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |