ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 ダイオード - 整流器 - シングル NSVBAS19LT1G

ON Semiconductor NSVBAS19LT1G

部品番号
NSVBAS19LT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 NSVBAS19LT1G
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 120V
電流 - 平均整流(Io) 200mA (DC)
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 1.25V @ 200mA
速度 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) 50ns
電流 - 逆リーク(Vr) 100nA @ 100V
容量Vr、F 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
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