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| 部品番号 | NSBA114YDXV6T1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50V |
| 抵抗器 - ベース（R1）（オーム） | 10k |
| 抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） | 47k |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500nA |
| 周波数 - 遷移 | - |
| 電力 - 最大 | 500mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-563 |
メーカー: ON Semiconductor
説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
在庫あり: 60000
