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| 部品番号 | NE5517DR2G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| アンプタイプ | Transconductance |
| 回路数 | 2 |
| 出力タイプ | Push-Pull |
| スルーレート | 50 V/µs |
| ゲイン帯域幅積 | 2MHz |
| -3dbの帯域幅 | - |
| 電流 - 入力バイアス | 400nA |
| 電圧 - 入力オフセット | 400µV |
| 電流 - 供給 | 2.6mA |
| 電流出力/チャネル | 650µA |
| 電圧 - 電源、シングル/デュアル（±） | 4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 16-SOIC |
