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| 部品番号 | NCP5111DR2G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| チャネルタイプ | Synchronous |
| ドライバ数 | 2 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 10 V ~ 20 V |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.3V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 250mA, 500mA |
| 入力方式 | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600V |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 85ns, 35ns |
| 動作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
