ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - JFET 2SK3666-2-TB-E

ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E

部品番号
2SK3666-2-TB-E
メーカー
ON Semiconductor
説明
JFET NCH 30V 200MW 3CP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - JFET
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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量:
製品パラメータ
部品番号 2SK3666-2-TB-E
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) -
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - ドレイン(Idss)Vds(Vgs = 0) 600µA @ 10V
電流ドレイン(Id) - 最大 10mA
電圧 - カットオフ(VGSオフ)@ Id 180mV @ 1µA
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4pF @ 10V
抵抗 - RDS(オン) 200 Ohm
電力 - 最大 200mW
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ 3-CP
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