ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF 2SC5415AF-TD-E

ON Semiconductor 2SC5415AF-TD-E

部品番号
2SC5415AF-TD-E
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS NPN BIPO 0.1A 12V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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量:
製品パラメータ
部品番号 2SC5415AF-TD-E
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 12V
周波数 - 遷移 6.7GHz
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
利得 9dB
電力 - 最大 800mW
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 90 @ 30mA, 5V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-243AA
サプライヤデバイスパッケージ PCP
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