ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル PSMN011-30YL,115

NXP USA Inc. PSMN011-30YL,115

部品番号
PSMN011-30YL,115
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 PSMN011-30YL,115
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 51A (Tj)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.15V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 14.8nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 726pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 49W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 10.7 mOhm @ 15A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
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RFQ 0.20988/pcs
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