ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ PMGD8000LN,115

NXP USA Inc. PMGD8000LN,115

部品番号
PMGD8000LN,115
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 PMGD8000LN,115
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 125mA
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.5V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 0.35nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 18.5pF @ 5V
電力 - 最大 200mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSSOP
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PMGD8000LN,115

メーカー: NXP USA Inc.

説明: MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

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