ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス PDTB113ZS,126

NXP USA Inc. PDTB113ZS,126

部品番号
PDTB113ZS,126
メーカー
NXP USA Inc.
説明
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 PDTB113ZS,126
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 500mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 50V
抵抗器 - ベース(R1)(オーム) 1k
抵抗器 - エミッタベース(R2)(オーム) 10k
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 70 @ 50mA, 5V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
周波数 - 遷移 -
電力 - 最大 500mW
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
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