ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BUK9E6R1-100E,127

NXP USA Inc. BUK9E6R1-100E,127

部品番号
BUK9E6R1-100E,127
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 BUK9E6R1-100E,127
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.1V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 133nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 17460pF @ 25V
Vgs(最大) ±10V
FET機能 -
消費電力(最大) 349W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5.9 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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BUK9E6R1-100E,127

メーカー: NXP USA Inc.

説明: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

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