ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BUK7C1R8-60EJ

NXP USA Inc. BUK7C1R8-60EJ

部品番号
BUK7C1R8-60EJ
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 BUK7C1R8-60EJ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) -
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK (7-Lead)
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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