ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル PMXB120EPEZ

Nexperia USA Inc. PMXB120EPEZ

部品番号
PMXB120EPEZ
メーカー
Nexperia USA Inc.
説明
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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量:
製品パラメータ
部品番号 PMXB120EPEZ
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.4A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 309pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 120 mOhm @ 2.4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DFN1010D-3
パッケージ/ケース 3-XDFN Exposed Pad
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