部品番号 | JANTXV1N5807 |
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部品ステータス | Active |
ダイオードタイプ | Standard |
電圧 - DC逆(Vr)(最大) | 50V |
電流 - 平均整流(Io) | 3A |
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If | 875mV @ 4A |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間(trr) | 30ns |
電流 - 逆リーク(Vr) | 5µA @ 50V |
容量Vr、F | 65pF @ 10V, 1MHz |
取付タイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | B, Axial |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
在庫あり: 39
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
在庫あり: 36
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
在庫あり: 4